परीक्षण कैपेसिटर

परीक्षण कैपेसिटरकैपेसिटर के इन्सुलेशन प्रतिरोध का मापन। पावर कैपेसिटर का परीक्षण करते समय, इन्सुलेशन प्रतिरोध को टर्मिनलों के बीच और कैपेसिटर केस के सापेक्ष 2500 वी के वोल्टेज के लिए मेगोह्ममीटर से मापा जाता है। इन्सुलेशन प्रतिरोध और अनुपात मानकीकृत नहीं हैंमैं हूं।

परीक्षण अवधि कैपेसिटर ने इन्सुलेशन की ढांकता हुआ ताकत की औद्योगिक आवृत्ति के वोल्टेज में वृद्धि की। परीक्षण वोल्टेज 1 मिनट के आवेदन की अवधि परीक्षण संधारित्र के कंडक्टरों के बीच और कंडक्टरों और आवास के बीच इन्सुलेशन पर किया जाता है। परीक्षण वोल्टेज तालिका के अनुसार लिया जाता है। 1.

तालिका 1. प्रतिक्रियाशील शक्ति क्षतिपूर्ति के लिए कैपेसिटर का परीक्षण वोल्टेज

परीक्षण प्रकार टेस्ट वोल्टेज, केवी, ऑपरेटिंग वोल्टेज पर, केवी 0.22 0.38 0.50 0.66 6.30 10.5 कैपेसिटर प्लेट्स के बीच 0.42 0.72 0.95 1.25 11.8 20 कंडेंसर केस के संबंध में 2.1 2.1 2.1 5.1 15.3 21.3

कैपेसिटर के टर्मिनलों के बीच इन्सुलेशन का परीक्षण करते समय परीक्षण ट्रांसफार्मर की शक्ति अपेक्षाकृत बड़ी होनी चाहिए और इसे सूत्र द्वारा निर्धारित किया जा सकता है:

पिस्प = ωCU2x 10 -9

जहां पी। इंटरनेट प्रदाता - बिजली की खपत, केवीए, सी कैपेसिटर, पीएफ, यू - टेस्ट वोल्टेज, केवी, ω - 50 हर्ट्ज में 314 के बराबर परीक्षण वोल्टेज की कोणीय आवृत्ति है।

वोल्टेज की वृद्धि और कमी सुचारू रूप से की जानी चाहिए। पर्याप्त शक्ति के एक परीक्षण ट्रांसफार्मर की अनुपस्थिति में, प्रत्यावर्ती धारा परीक्षणों को तालिका में निर्दिष्ट दो बार के बराबर एक सुधारित वोल्टेज परीक्षण द्वारा प्रतिस्थापित किया जा सकता है। 1 तनाव।

बाड़े से जुड़े टर्मिनल वाले प्रतिक्रियाशील शक्ति की भरपाई के लिए डिज़ाइन किए गए कैपेसिटर के इन्सुलेशन मामले के संबंध में औद्योगिक आवृत्ति वृद्धि हुई वोल्टेज परीक्षण नहीं किया जाएगा।

परीक्षण के बाद, कैपेसिटर बैंक को मज़बूती से डिस्चार्ज किया जाना चाहिए। डिस्चार्ज को शुरू में करंट लिमिटिंग और फिर शॉर्ट-सर्किट द्वारा पूरा किया जाता है।

1000 V और उससे अधिक के वोल्टेज के लिए प्रतिक्रियाशील शक्ति की भरपाई के लिए डिज़ाइन किए गए कैपेसिटर के लिए कैपेसिटेंस माप अनिवार्य है। माप 15 - 35 डिग्री सेल्सियस के तापमान पर किया जाना चाहिए। कैपेसिटर की समाई माप एसी पुलों, माइक्रोफैरडोमीटर, एमीटर और वोल्टमीटर विधि (चित्र 1, ए) या दो वोल्टमीटर (छवि 1, बी) का उपयोग करके उत्पादित किया गया।

चावल। 1. संधारित्र की क्षमता को मापने के लिए योजनाएँ: ए - एमीटर और वोल्टमीटर विधि द्वारा, बी - दो वोल्टमीटर विधि द्वारा।

एमीटर और वोल्टमीटर से मापी गई क्षमता की गणना सूत्र द्वारा की जाती है:

सीएक्स = (आई एक्स 106) / ωU,

जहां Cx संधारित्र का समाई है, μF, I - मापा वर्तमान, A, U - संधारित्र का वोल्टेज, V, ω - 50 हर्ट्ज पर 314 के बराबर नेटवर्क की कोणीय आवृत्ति।

परीक्षण कैपेसिटर

एक एमीटर और वोल्टमीटर के साथ कैपेसिटर की क्षमता को मापते समय, वोल्टेज साइनसोइडल होना चाहिए। उच्च हार्मोनिक घटकों के कारण विकृत वर्तमान तरंग के साथ, माप त्रुटि काफी बढ़ जाती है। इसलिए, चरण-तटस्थ नेटवर्क वोल्टेज के बजाय रैखिक पर माप करने और संधारित्र के साथ श्रृंखला में सर्किट में शामिल करने की सिफारिश की जाती है, जो मापा संधारित्र की प्रतिक्रिया के लगभग 10% के बराबर सक्रिय प्रतिरोध होता है।

दो वोल्टमीटर से मापते समय:

सीएक्स = 106 / ωRtgφ,

 

आर - वाल्टमीटर का आंतरिक प्रतिरोध, ओम, tgφ - वोल्टमीटर U1 और U2, cosφ = U2 / U1 के वोल्टेज के बीच कोण φ चरण शिफ्ट के कोसाइन द्वारा निर्धारित किया जाता है।

एकल-चरण कैपेसिटर में, क्षमता को टर्मिनलों के बीच, तीन-चरण कैपेसिटर में - तालिका के अनुसार शॉर्ट-सर्कुलेटेड टर्मिनलों की प्रत्येक जोड़ी और तीसरे टर्मिनल के बीच मापा जाता है। 2.

तालिका 2. तीन चरण कैपेसिटर की क्षमता को मापने के लिए योजनाएं

शॉर्ट सर्किट टर्मिनलों के बीच समाई को मापें मापा समाई 2 और 3 का पदनाम 1 - (2 और 3) C (1 - 2.3) 1 और 3 2 - (1 और 3) C (2 - 1.3) 1 और 2 3 - (1 और 2) सी (3 - 1.2)

तारों और बॉक्स के बीच कोई समाई माप नहीं किया जाता है। पिन नंबरिंग मनमाना है।

डेल्टा-कनेक्टेड कैपेसिटर के प्रत्येक चरण का समाई समीकरणों से माप डेटा से निर्धारित होता है:

पूर्ण संधारित्र क्षमता:

मापी गई क्षमता पासपोर्ट डेटा से 10% से अधिक भिन्न नहीं होनी चाहिए।

मुख्य ऑपरेटिंग वोल्टेज को तीन बार चालू करके और बैटरी के प्रत्येक चरण में करंट को मापकर कैपेसिटर बैंक का परीक्षण करना। जब कैपेसिटर बैंक को चालू किया जाता है, तो कोई असामान्य घटना नहीं देखी जानी चाहिए (स्वचालित शटडाउन, उड़ा फ़्यूज़, टैंक में शोर और क्रैकिंग आदि)। बैटरी के विभिन्न चरणों में धाराएं एक दूसरे से 5% से अधिक भिन्न नहीं होनी चाहिए। नाममात्र के 110% से अधिक वोल्टेज के लिए कैपेसिटर शामिल करना मना है।

प्रतिक्रियाशील शक्ति मुआवजे के लिए कैपेसिटर

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